Фотодиод InGaAs 32 мкм 10G TO46

 

 

• Высокая чувствительность (больше или равна 0,7 А/Вт): Обеспечивает эффективное преобразование сигнала, снижая энергопотребление при -производстве оптических модулей-идеально подходит для оптовых покупателей InGaAs фотодиодов TO46, ориентированных на энергоэффективность.

• Низкий темновой ток (менее или равен 1 нА при 5 В): минимизирует шум сигнала, что критически важно для высокоточных телекоммуникационных и сенсорных приложений. Это преимущество снижает частоту отказов при массовом развертывании.

• Низкая емкость (менее или равна 0,25 пФ): Обеспечивает стабильную пропускную способность 10G, отвечая требованиям к скорости модулей 10G SFP+ и сетей центров обработки данных.

• Лазерная сварка и пакет TO-CAN: Повышает механическую стабильность и термостойкость (рабочая температура -40–85 градусов), обеспечивая длительный срок службы (более или равный 50 000 часов) и снижая затраты на замену для оптовых клиентов, закупающих InGaAs фотодиоды.

• Низкие обратные потери (больше или равно 35 дБ): уменьшает отражение сигнала, улучшая целостность системы,-что важно для проектов телекоммуникационной инфраструктуры.

 

 

• Телекоммуникационные сети: Совместимость с системами SDH/SONET, поддержка высокоскоростного-приема сигнала по-волоконно-оптическим каналам дальней связи-идеально подходит для высокоскоростных надежность Фотодиод InGaAs 32 мкм для закупок в сфере телекоммуникаций.

• Оптические модули 10G SFP+: используется в трансиверах центров обработки данных для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы с низкой емкостью (менее или равной 0,25 пФ), обеспечивающей минимальные потери сигнала.

• Оптоволоконное зондирование: Идеально подходит для промышленных сенсорных систем (например, лазерной локации, мониторинга температуры) благодаря широкой рабочей длине волны (1100–1650 нм) и низкому темновому току.

• Промышленная автоматизация: Интегрирован в оборудование оптической связи для автоматизации производства, где длительный срок эксплуатации (за счет лазерной сварки) снижает затраты на техническое обслуживание для оптовых покупателей InGaAs фотодиода TO46.

 

Продажа единиц	Один предмет
Размер одной упаковки	20Х15Х5 см (Гибкая упаковка, пригодна для международных перевозок)
Одиночный вес брутто	0,250 кг

Количество (шт.)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Срок выполнения (дней)	14	20	30	Для переговоров

Мы предлагаем индивидуальные решения ODM для фотодиодов InGaAs, отвечающие вашим конкретным требованиям:

• Настраиваемые параметры: диаметр светочувствительной области (32 мкм/50 мкм/75 мкм), тип упаковки (TO46/TO56), длина провода и конструкция линзы.

• Цикл разработки: 7-15 дней (сначала образец; массовое производство начинается после утверждения образца).

 

Параметр	Символ	Мин.	Тип	Макс.	Единица
Мощность насыщения	пс	3	-	-	дБм
Прямой ток	Если	-	-	10	мА
Реверсивное напряжение	Вр	-	5	15	V
Температура рабочего корпуса	Вершина	-40	-	85	степень
Температура хранения	Цстг	-40	-	85	степень
Пайка свинцом (температура/время)	-	-	260/10	-	градус/сек

 

Параметр	Символ	Мин.	Тип	Макс.	Единица	Условия испытания
Рабочая длина волны	λ	1100	-	1650	нм
Отзывчивость	R	0.7	-	-	A/W	Вр=5В,λ=1310нм
Темный ток	Идентификатор	-	0.2	1	нет данных	Вр=5В
Емкость	C	-	-	0.25	пф	Вр=5В, f=1МГц, корпус открыт
Пропускная способность	чб	10	-	-	ГГц	Вр=5В, нагрузка 50 с длиной провода=6мм, корпус открыт
Оптические обратные потери	РЛ	35	-	-	дБ	λ=1310нм

 

горячая этикетка : 32 мкм 10 г фотодиод Ingaas to46, Китай 32 мкм 10 г фотодиод Ingaas to46 производители, поставщики, завод